半導体装置、半導体装置の製造方法、及びリードフレーム

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and lead frame

Abstract

【課題】第1半導体チップと第2半導体チップとの間の信号伝達をインダクタの誘導結合を用いて行う半導体装置において、半導体装置の製造コストが高くなることを抑制する。【解決手段】第1半導体チップ100と第2半導体チップ200は、第1多層配線層110と第2多層配線層210が互いに対向する向きに重ねられている。また平面視において第1インダクタ130と第2インダクタ230は重なっている。そして第1半導体チップ100及び第2半導体チップ200は、それぞれ互いに対向していない非対向領域を有している。第1多層配線層110は、非対向領域に第1外部接続端子140を有しており、第2多層配線層210は、非対向領域に第2外部接続端子240を有している。【選択図】図1
【課題】第1半導体チップと第2半導体チップとの間の信号伝達をインダクタの誘導結合を用いて行う半導体装置において、半導体装置の製造コストが高くなることを抑制する。 【解決手段】第1半導体チップ100と第2半導体チップ200は、第1多層配線層110と第2多層配線層210が互いに対向する向きに重ねられている。また平面視において第1インダクタ130と第2インダクタ230は重なっている。そして第1半導体チップ100及び第2半導体チップ200は、それぞれ互いに対向していない非対向領域を有している。第1多層配線層110は、非対向領域に第1外部接続端子140を有しており、第2多層配線層210は、非対向領域に第2外部接続端子240を有している。 【選択図】図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a manufacturing cost of a semiconductor device from being increased, in the semiconductor that performs signal transmission between a first semiconductor chip and a second semiconductor chip by using inductive coupling of inductors.SOLUTION: A first semiconductor chip 100 and a second semiconductor chip 200 are overlapped each other in a direction, in which a first multilayer wiring layer 110 and a second multilayer wiring layer 210 face each other. Also, in a plan view, a first inductor 130 and a second inductor 230 overlap each other. Furthermore, the first semiconductor chip 100 and the second semiconductor chip 200 have non-opposed regions, respectively, which do not face each other. The first multilayer wiring layer 110 has a first external connecting terminal 140 in the non-opposed region, and the second multilayer wiring layer 210 has a second external connecting terminal 240 in the non-opposed region.

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