Semiconductor device and power conversion device using the same

半導体装置及びそれを用いた電力変換装置

Abstract

【課題】オン電圧を損ねることなくホットキャリアの発生を抑制し、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】p型ホールエミッタ層PEと、n型バッファ層NBおよびn型ドリフト層NDと、n型ドリフト層NDに設けられる複数のトレンチゲートTGと、互いに隣接するトレンチゲートTGの間隔が異なる第1領域および第2領域とを備え、第2領域におけるトレンチゲートTGの間隔は、第1領域におけるトレンチゲートTGの間隔よりも広くし、第1領域においては、p型ベース層PBとn型ソース層NSを設け、第2領域においては、複数のp型ウェル層PWを設ける。【選択図】図1
【課題】 オン電圧を損ねることなくホットキャリアの発生を抑制し、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】 p型ホールエミッタ層PEと、n型バッファ層NBおよびn型ドリフト層NDと、n型ドリフト層NDに設けられる複数のトレンチゲートTGと、互いに隣接するトレンチゲートTGの間隔が異なる第1領域および第2領域とを備え、第2領域におけるトレンチゲートTGの間隔は、第1領域におけるトレンチゲートTGの間隔よりも広くし、第1領域においては、p型ベース層PBとn型ソース層NSを設け、第2領域においては、複数のp型ウェル層PWを設ける。 【選択図】図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having high reliability by suppressing occurrence of a hot carrier without damaging on-voltage.SOLUTION: There are provided a p-type hole emitter layer PE, an n-type buffer layer NB and n-type drift layer ND, a plurality of trench gates TG provided at the n-type drift layer ND, and a first region and a second region, with different interval between the trench gates TG adjoining each other. An interval between the trench gates TG in the second region is larger than an interval between the trench gates TG in the first region. In the first region, there are provided a p-type base layer PB and an n-type source layer NS. In the second region, a plurality of p-type well layers PW are provided.

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Patent Citations (7)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2000307116-ANovember 02, 2000Hitachi Ltd, 株式会社日立製作所Semiconductor device and power conversion device
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    JP-2010045144-AFebruary 25, 2010Hitachi Ltd, 株式会社日立製作所Semiconductor device and power converting device using the same
    JP-2012064641-AMarch 29, 2012Toshiba Corp, 株式会社東芝Semiconductor device
    JP-2013062304-AApril 04, 2013Hitachi Ltd, 株式会社日立製作所半導体装置

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